NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7
NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7
video
M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
2280 NVME 1TB
2280 NVME PCIE 1TB
HG2263+V7
NVME 1T
2280 PCIE NVME 1TB
BULK USB PACKAGE
1/2
<< /span>
>

NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 pluss Hynix V7 1.PRODUKTSPESIFIKASJONER Kapasitet − 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB − Støtte 32-bitadresseringsmodus Elektrisk/fysisk grensesnitt − Fysisk grensesnitt − Kompatibel med NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane & bakoverkompatibel med...

                                               M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 pluss Hynix V7

 

1.PRODUKTSPESIFIKASJONER

 

Kapasitet

− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB

− Støtt 32-bitadresseringsmodus

Elektrisk/fysisk grensesnitt

− PCIe-grensesnitt

− Samsvar med NVMe 1.3

− PCIe Express Base Ver 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 lane & bakoverkompatibel med PCIe Gen 2 og Gen 1

− Støtte opp til QD 128 med kødybde på opptil 64K

− Støtte strømstyring

Støttet NAND Flash

− Støtte opptil 16 Flash Chip Enables (CE) i en enkelt design

− Støtter opptil 4 stk BGA132-blits

− Støtte 8-bit I/O NAND Flash

− Støtte Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 og ONFI 4.0-grensesnitt

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

ECC-ordningen

− HG2283 PCIe SSD bruker LDPC av ECC-algoritmen.

Støtte for sektorstørrelse

   − 512B

- 4KB

UART/ GPIO

Støtt SMART- og TRIM-kommandoer

LBA-utvalg

− IDEMA-standard

 

 

Opptreden                 

 

Ytelse til HG2283 pluss Hynix V7 (1200 Mbps)

Kapasitet

Flash-struktur (BGA-pakke)

CE#

Flash Type

Sekvensiell (CDM)

IOmeter

Lest (MB/s)

Skriv (MB/s)

Les (IOPS)

Skriv (IOPS)

128 GB

DDP x 1

2

BGA132, Hynix V7

1650

1100

195K

260K

256 GB

DDP x 2

4

BGA132, Hynix V7

3100

1850

360K

450K

512 GB

QDP x 2

8

BGA132, Hynix V7

3100

2090

360K

475K

1024 GB

QDP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

2048 GB

ODP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

MERKNADER:

1. Ytelsen var basert på Hynix V7 TLC NAND-blits.

 

STRØMFORBRUK

Kapasitet

Flash-konfigurasjon (BGA-pakke)

 

Strømforbruk3

 

Lest (mW)

Skrive (mW)

PS3 (mW)

PS4 (mW)

128 GB

DDP x 1

2940

2530

50

5

256 GB

DDP x 2

4120

3400

50

5

512 GB

QDP x 2

4090

3390

50

5

1024 GB

QDP x 4

4050

3380

50

5

2048 GB

ODP x 4

4440

3810

50

5

MERKNADER:

1. Data målt basert på Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.

2. Strømforbruk måles under sekvensielle lese- og skriveoperasjoner utført av IOMeter.

 

Flash-administrasjon

1.4.1. Feilrettingskode (ECC)

Flash-minneceller vil forringes med bruk, noe som kan generere tilfeldige bitfeil i de lagrede dataene. Dermed bruker HG2283 PCIe SSD LDPC (Low Density Parity Check) av ECC-algoritmen, som kan oppdage og korrigere feil som oppstår under leseprosessen, sikre at data ble lest riktig, samt beskytte data mot korrupsjon.

 

1.4.2. Slitasjeutjevning

NAND-flashenheter kan bare gjennomgå et begrenset antall programmerings-/slettesykluser, når flashmedier ikke brukes jevnt, blir noen blokker oppdatert oftere enn andre, og enhetens levetid vil reduseres betydelig. Dermed brukes slitasjeutjevning for å forlenge levetiden til NAND-blits ved jevnt å fordele skrive- og slettesykluser over mediene.

 

HosinGlobal gir avansert slitasjeutjevningsalgoritme, som effektivt kan spre blitsbruken gjennom hele flashmedieområdet. Dessuten, ved å implementere både dynamiske og statiske slitasjeutjevningsalgoritmer, forbedres levetiden til NAND-blitsen betraktelig.

 

1.4.3. Dårlig blokkhåndtering

Dårlige blokker er blokker som ikke fungerer ordentlig eller inneholder flere ugyldige biter som forårsaker ustabile lagrede data, og deres pålitelighet er ikke garantert. Blokker som er identifisert og merket som dårlige av produsenten blir referert til som "Early Bad Blocks". Dårlige blokker som utvikles i løpet av blitsens levetid kalles "Later Bad Blocks". HosinGlobal implementerer en effektiv algoritme for håndtering av dårlige blokker for å oppdage de fabrikkproduserte dårlige blokkene og håndterer dårlige blokker som vises ved bruk. Denne praksisen forhindrer at data lagres i dårlige blokker og forbedrer datapåliteligheten ytterligere.

 

1.4.4. LISTVERK

TRIM er en funksjon som bidrar til å forbedre lese-/skriveytelsen og hastigheten til solid state-stasjoner (SSD). I motsetning til harddisker (HDD), er ikke SSD-er i stand til å overskrive eksisterende data, så den tilgjengelige plassen blir gradvis mindre for hver bruk. Med TRIM-kommandoen kan operativsystemet informere SSD-en slik at blokker med data som ikke lenger er i bruk kan fjernes permanent. Dermed vil SSD-en utføre slettehandlingen, som forhindrer ubrukte data fra å oppta blokker til enhver tid.

 

1.4.5. SMART

SMART, et akronym for Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, er en åpen standard som lar en solid state-stasjon automatisk oppdage helsen og rapportere potensielle feil. Når en feil registreres av SMART, kan brukere velge å erstatte stasjonen for å forhindre uventet strømbrudd eller tap av data. Dessuten kan SMART informere brukere om forestående feil mens det fortsatt er tid til å utføre proaktive handlinger, for eksempel lagre data til en annen enhet.

 

1.4.6. Overtilførsel

Overprovisioning refererer til det bevarende tilleggsområdet utover brukerkapasiteten i en SSD, som ikke er synlig for brukerne og ikke kan brukes av dem. Imidlertid lar det en SSD-kontroller utnytte ekstra plass for bedre ytelse og WAF. Med Over Provisioning forbedres ytelsen og IOPS (Input/Output Operations per Second) ved å gi kontrolleren ekstra plass til å administrere P/E-sykluser, noe som også forbedrer påliteligheten og utholdenheten. Dessuten blir skriveforsterkningen til SSD-en lavere når

kontrolleren skriver data til blitsen.

 

1.4.7. Fastvareoppgradering

Fastvare kan betraktes som et sett med instruksjoner om hvordan enheten kommuniserer med verten. Firmware vil kunne oppgraderes når nye funksjoner legges til, kompatibilitetsproblemer er fikset eller lese-/skriveytelsen blir forbedret.

 

1.4.8. Termisk struping

Hensikten med termisk struping er å forhindre at komponenter i en SSD blir overopphetet under lese- og skriveoperasjoner. HG2283 er designet med en termisk sensor på matrisen og med dens nøyaktighet; fastvare kan bruke forskjellige nivåer av struping for å oppnå formålet med beskyttelse effektivt og proaktivt via SMART-lesing.

 

1.5. Avanserte enhetssikkerhetsfunksjoner

1.5.1. Sikker sletting

Secure Erase er en standard NVMe-formatkommando og vil skrive alle "0x00" for å slette alle dataene på harddisker og SSD-er. Når denne kommandoen utstedes, vil SSD-kontrolleren slette lagringsblokkene og gå tilbake til fabrikkinnstillingene.

 

1.5.2. Kryptosletting

Crypto Erase er en funksjon som sletter alle data på en OPAL-aktivert SSD eller en "SED" (Security-Enabled Disk)-stasjon ved å tilbakestille den kryptografiske nøkkelen til disken. Siden nøkkelen er endret, vil tidligere krypterte data bli ubrukelige, og oppnå formålet med datasikkerhet.

 

1.5.3. Fysisk tilstedeværelse SID (PSID)

Physical Presence SID (PSID) er definert av TCG OPAL som en 32-tegnstreng, og formålet er å gå tilbake til SSD-en til produksjonsinnstillingen når stasjonen fortsatt er OPAL-aktivert. PSID-kode kan skrives ut på en SSD-etikett når en OPAL-aktivert SSD støtter funksjonen for tilbakestilling av PSID.

 

1.6. SSD Lifetime Management

1.6.1. Terabyte skrevet (TBW)

TBW (Terabytes Written) er en måling av SSDs forventede levetid, som representerer mengden data

skrevet til enheten. For å beregne TBW til en SSD, brukes følgende ligning:

TBW = [(NAND utholdenhet) x (SSD-kapasitet)] / [WAF]

NAND utholdenhet: NAND-utholdenhet refererer til P/E-syklusen (Program/Erase) til en NAND-blits.

SSD-kapasitet: SSD-kapasiteten er den spesifikke kapasiteten totalt for en SSD.

WAF: Write Amplification Factor (WAF) er en numerisk verdi som representerer forholdet mellom mengden data som en SSD-kontroller trenger for å skrive og mengden data som vertens flashkontroller skriver. En bedre WAF, som er nær 1, garanterer bedre utholdenhet og lavere frekvens av data skrevet til flashminnet.

 

TBW i dette dokumentet er basert på JEDEC 218/219 arbeidsbelastning.

 

1.6.2. Mediaslitasjeindikator

Indikator for faktisk levetid rapportert av SMART Attribut-byteindeks [5], prosentandel brukt, anbefaler brukeren å bytte ut stasjonen når den når 100 prosent.

 

1.6.3. Skrivebeskyttet modus (end of life)

Når stasjonen eldes av kumulerte program-/slettesykluser, kan utslitte media forårsake økende antall senere dårlige blokkeringer. Når antallet brukbare godblokker faller utenfor et definert brukbart område, vil stasjonen varsle Host gjennom AER-hendelse og kritisk advarsel om å gå inn i skrivebeskyttet modus for å forhindre ytterligere datakorrupsjon. Brukeren bør begynne å erstatte stasjonen med en annen umiddelbart.

 

1.7. Adaptiv tilnærming til ytelsesjustering

1.7.1. Gjennomstrømning

Basert på tilgjengelig plass på disken, vil HG2283 regulere lese-/skrivehastigheten og administrere ytelsen til gjennomstrømmingen. Når det fortsatt er mye plass igjen, vil fastvaren kontinuerlig utføre lese-/skrivehandlinger. Det er fortsatt ikke nødvendig å implementere søppelinnsamling for å tildele og frigjøre minne, noe som vil akselerere lese-/skrivebehandlingen for å forbedre ytelsen. Motsatt, når plassen skal brukes opp, vil HG2283 bremse lese-/skrivebehandlingen og implementere søppelinnsamling for å frigjøre minne. Lese-/skriveytelsen vil derfor bli tregere.

1.7.2. Forutsi og hent

Normalt, når verten prøver å lese data fra PCIe SSD, vil PCIe SSD bare utføre én lesehandling etter å ha mottatt én kommando. Imidlertid bruker HG2283 Forutsig og hent for å forbedre lesehastigheten. Når verten utsteder sekvensielle lesekommandoer til PCIe SSD, vil PCIe SSD automatisk forvente at følgende også vil være lesekommandoer. Derfor, før den mottar neste kommando, har flash allerede forberedt dataene. Følgelig akselererer dette databehandlingstiden, og verten trenger ikke å vente så lenge på å motta data.

1.7.3. SLC-bufring

HG2283s fastvaredesign tar i bruk dynamisk caching for å levere bedre ytelse for bedre utholdenhet og forbrukeropplevelse.

 

3. MILJØSPESIFIKASJONER

 

3.1. Miljøforhold 3.1.1. Temperatur og fuktighet

 

Tabell 3-1 Høy temperatur

 

Temperatur

Luftfuktighet

Operasjon

70 grader

0 prosent RF

Oppbevaring

85 grader

0 prosent RF

 

Tabell 3-2 Lav temperatur

 

Temperatur

Luftfuktighet

Operasjon

0 grad

0 prosent RF

Oppbevaring

-40 grad

0 prosent RF

 

Tabell 3-3 Høy luftfuktighet

 

Temperatur

Luftfuktighet

Operasjon

40 grader

90 prosent RF

Oppbevaring

40 grader

93 prosent RF

 

Tabell 3-4 Temperatursykling

 

Temperatur

Operasjon

0 grad

70 grader1

Oppbevaring

-40 grad

85 grader

 

Merknader:

1. Driftstemperaturen måles av tilfellets temperatur, som kan bestemmes via SMART Airflow er foreslått, og den vil tillate at enheten kan brukes ved passende temperatur for hver komponent under tunge arbeidsbelastninger.

 

3.1.2. Sjokk

Tabell 3-5 Sjokk

 

Akselerasjonskraft

Ikke-operativ

1500G

 

3.1.3. Vibrasjon

Tabell 3-6 Vibrasjon

 

Cond

ion

Frekvens/Forskyvning

Frekvens/akselerasjon

Ikke-operativ

20Hz~80Hz/1,52mm

80Hz~2000Hz/20G

 

3.1.4. Miste

Tabell 3-7 Slipp

 

 

Fallhøyde

 

 

Antall fall

Ikke-operativ

 

80 cm fritt fall

 

 

6 side av hver enhet

 

3.1.5. Bøyning

Bord 3-8 Bøyer

 

 

 

 

Makt

 

 

Handling

Ikke-operativ

 

Større enn eller lik 20N

 

 

Hold 1 min/5 ganger

 

3.1.6. Dreiemoment

Tabell 3-9 dreiemoment

 

 

 

 

Makt

 

 

Handling

Ikke-operativ

 

0,5N-m eller ±2,5 grader

 

 

Hold 1 min/5 ganger

 

3.1.7. Elektrostatisk utladning (ESD)

Tabell 3-10 ESD

 

 

Spesifikasjon

 

 

pluss /- 4KV

 

EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 og IEC 61000-4-2

Enhetsfunksjoner påvirkes, men EUT vil automatisk gå tilbake til normal eller driftstilstand.

 

4. ELEKTRISKE SPESIFIKASJONER

 

4.1. Forsyningsspenningen

Tabell 4-1 Forsyningsspenning

Parameter

Vurdering

Driftsspenning

Min=3.14 V Maks.=3.47 V

Stigetid (maks/min)

10 ms / 0,1 ms

Falltid (maks/min)

1500 ms / 1 ms

Min. Utenfor arbeidstid1

1500 ms

MERK:

1. Minimum tid mellom strøm fjernet fra SSD (Vcc < 100 mV) og strøm tilført til stasjonen igjen.

 

4.2. Strømforbruk

Tabell 4-2 Strømforbruk i mW

Kapasitet

Flash-konfigurasjon

CE#

Les (maks)

Skriv (maks)

Lese

(Gj.sn.)

Skriv (Gj.sn.)

128 GB

DDP x 1

2

3200

2930

2940

2530

256 GB

DDP x 2

4

4650

4560

4120

3400

512 GB

QDP x 2

8

5260

4190

4090

3390

1024 GB

QDP x 4

16

5350

6070

4050

3380

2048 GB

ODP x 4

16

6320

6650

4440

3810

MERKNADER:

Basert på APF1Mxxx-serien under omgivelsestemperatur.

Den gjennomsnittlige verdien av strømforbruket oppnås basert på 100 prosent konverteringseffektivitet.

Den målte strømspenningen er 3,3V.

Temperaturen på en lagringsenhet i PS1 bør forbli konstant eller bør synke litt for alle arbeidsbelastninger, så den faktiske effekten i PS1 bør være lavere enn PS0.

Temperaturen på en lagringsenhet i PS2 bør reduseres kraftig for alle arbeidsbelastninger, så den faktiske effekten i PS2 bør være lavere enn PS1.

 

 

5. GRENSESNITT

 

5.1. Pin-tilordning og beskrivelser

Tabell {{0}} definerer signaltilordningen til den interne NGFF-kontakten for SSD-bruk, beskrevet i PCI Express M.2-spesifikasjonen versjon 1.0 av PCI-SIG.

 

Tabell 5-1 Pin-tilordning og beskrivelse av HG2283 M.2 2280

Pinne nr.

PCIe-pinne

Beskrivelse

1

GND

KONFIG_3=GND

2

3.3V

3,3V kilde

3

GND

Bakke

4

3.3V

3,3V kilde

5

PETn3

PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

6

N/C

Ingen tilkobling

7

PETp3

PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

8

N/C

Ingen tilkobling

9

GND

Bakke

10

LED1#

Åpent avløp, aktivt lavt signal. Disse signalene brukes til å la tilleggskortet gi statusindikatorer via LED-enheter som leveres av systemet.

11

PERn3

PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

12

3.3V

3,3V kilde

13

PERp3

PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

14

3.3V

3,3V kilde

15

GND

Bakke

16

3.3V

3,3V kilde

17

PETn2

PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

18

3.3V

3,3V kilde

19

PETp2

PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

20

N/C

Ingen tilkobling

21

GND

Bakke

22

N/C

Ingen tilkobling

23

PERn2

PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

24

N/C

Ingen tilkobling

25

PERp2

PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

26

N/C

Ingen tilkobling

27

GND

Bakke

28

N/C

Ingen tilkobling

29

PETn1

PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

30

N/C

Ingen tilkobling

31

PETp1

PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

32

GND

Bakke

33

GND

Bakke

34

N/C

Ingen tilkobling

35

PERn1

PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

36

N/C

Ingen tilkobling

37

PERp1

PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

 

 

Pinne nr.

PCIe-pinne

Beskrivelse

38 N/C

Ingen tilkobling

39 GND

Bakke

40 SMB_CLK (I/O)(0/1,8V)

SMBus Klokke; Åpen avløp med opptrekk på plattformen

41

PETn0

PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

42

SMB{{0}}DATA (I/O)(0/1,8V)

SMBus Data; Åpen avløp med opptrekk på plattformen.

43

PETp0

PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

44

ALERT#(O) (0/1,8V)

Alarmvarsel til master; Åpent avløp med opptrekk på plattform; Aktiv lav.

45

GND

Bakke

46

N/C

Ingen tilkobling

47

PERn0

PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

48

N/C

Ingen tilkobling

49

PERp0

PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen

50

PERST#(I)(0/3,3V)

PE-Reset er en funksjonell tilbakestilling til kortet som definert av PCIe Mini CEM-spesifikasjonen.

51

GND

Bakke

52

CLKREQ#(I/O)(0/3,3V)

Klokkeforespørsel er et referanseklokkesignal som definert av PCIe Mini CEM-spesifikasjonen; Brukes også av L1 PM-delstater.

53

REFCLKn

PCIe-referanseklokkesignaler (100 MHz) definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen.

54

PEWAKE#(I/O)(0/3,3V)

PCIe PME Wake.

Åpne avløp med opptrekk på plattformen; Aktiv lav.

55

REFCLKp

PCIe-referanseklokkesignaler (100 MHz) definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen.

56

Reservert for MFG DATA

Produksjonsdatalinje. Brukes kun til SSD-produksjon.

Ikke brukt i normal drift.

Pinner skal stå N/C i plattformkontakten.

57

GND

Bakke

58

Reservert for MFG KLOKKE

Produksjonsklokkelinje. Brukes kun til SSD-produksjon.

Ikke brukt i normal drift.

Pinner skal stå N/C i plattformkontakten.

59

Modulnøkkel M

Modulnøkkel

60

Modulnøkkel M

61

Modulnøkkel M

62

Modulnøkkel M

63

Modulnøkkel M

64

Modulnøkkel M

65

Modulnøkkel M

66

Modulnøkkel M

67

N/C

Ingen tilkobling

68

SUSCLK(32KHz)

(I)(0/3.3V)

32,768 kHz klokkeforsyningsinngang som leveres av plattformbrikkesettet for å redusere strøm og kostnad for modulen.

69

NC

KONFIG_1=Ingen tilkobling

70

3.3V

3,3V kilde

71

GND

Bakke

72

3.3V

3,3V kilde

73

GND

Bakke

74

3.3V

3,3V kilde

75

GND

KONFIG_2=jord

 

7. FYSISK DIMENSJON

Formfaktor: M.2 2280 S2

Dimensjoner: 80,00mm (L) x 22,00mm (B) x 2,15 mm (H)

 

Vis retning

Diagram

Topp

product-226-319product-266-169

 

Bunn

product-477-537

 

Vis retning

Diagram

Side

      

product-215-578

 

product-759-182

Figur 7-1 Produktets mekaniske diagram og dimensjoner

 

8. BRUKSOMRÅDER

8.1. Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP) Forholdsregler for håndtering

Det er mange komponenter samlet på en enkelt SSD-enhet. Håndter stasjonen med forsiktighet, spesielt når den har noen WLCSP-komponenter (Wafer Level Chip Scale Packaging) som PMIC, termisk sensor eller lastbryter. WLCSP er en av emballasjeteknologiene som er mye brukt for å lage mindre fotavtrykk, men eventuelle støt eller riper kan skade disse ultrasmå delene, så skånsom håndtering anbefales sterkt.

 

product-37-32IKKE SLAPP SSD

product-37-32INSTALLER SSD MED FORSIKTIGHET

product-37-32LEVET SSD I EN ORDENTLIG PAKKE

 

8.2. M Key M.2 SSD-monteringsforholdsregler

M Key M.2 SSD (Figur 1) er kun kompatibel med M Key (Figur 2)-kontakt. Som vist i brukstilfelle 2, kan misbruk forårsake alvorlige skader på SSD, inkludert utbrenthet.

 

 

Figur 8-1 M-nøkkel M.2 Forholdsregler for montering

 

product-1007-439

 

 

Populære tags: NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7, Kina NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7

Sende bookingforespørsel

(0/10)

clearall