
NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 pluss Hynix V7 1.PRODUKTSPESIFIKASJONER Kapasitet − 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB − Støtte 32-bitadresseringsmodus Elektrisk/fysisk grensesnitt − Fysisk grensesnitt − Kompatibel med NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane & bakoverkompatibel med...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 pluss Hynix V7
1.PRODUKTSPESIFIKASJONER
Kapasitet
− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB
− Støtt 32-bitadresseringsmodus
Elektrisk/fysisk grensesnitt
− PCIe-grensesnitt
− Samsvar med NVMe 1.3
− PCIe Express Base Ver 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 lane & bakoverkompatibel med PCIe Gen 2 og Gen 1
− Støtte opp til QD 128 med kødybde på opptil 64K
− Støtte strømstyring
Støttet NAND Flash
− Støtte opptil 16 Flash Chip Enables (CE) i en enkelt design
− Støtter opptil 4 stk BGA132-blits
− Støtte 8-bit I/O NAND Flash
− Støtte Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 og ONFI 4.0-grensesnitt
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
ECC-ordningen
− HG2283 PCIe SSD bruker LDPC av ECC-algoritmen.
Støtte for sektorstørrelse
− 512B
- 4KB
UART/ GPIO
Støtt SMART- og TRIM-kommandoer
LBA-utvalg
− IDEMA-standard
Opptreden
Ytelse til HG2283 pluss Hynix V7 (1200 Mbps)
|
Kapasitet |
Flash-struktur (BGA-pakke) |
CE# |
Flash Type |
Sekvensiell (CDM) |
IOmeter |
||
|
Lest (MB/s) |
Skriv (MB/s) |
Les (IOPS) |
Skriv (IOPS) |
||||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
MERKNADER:
1. Ytelsen var basert på Hynix V7 TLC NAND-blits.
STRØMFORBRUK
|
Kapasitet |
Flash-konfigurasjon (BGA-pakke) |
|
Strømforbruk3 |
|
|
|
Lest (mW) |
Skrive (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
MERKNADER:
1. Data målt basert på Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.
2. Strømforbruk måles under sekvensielle lese- og skriveoperasjoner utført av IOMeter.
Flash-administrasjon
1.4.1. Feilrettingskode (ECC)
Flash-minneceller vil forringes med bruk, noe som kan generere tilfeldige bitfeil i de lagrede dataene. Dermed bruker HG2283 PCIe SSD LDPC (Low Density Parity Check) av ECC-algoritmen, som kan oppdage og korrigere feil som oppstår under leseprosessen, sikre at data ble lest riktig, samt beskytte data mot korrupsjon.
1.4.2. Slitasjeutjevning
NAND-flashenheter kan bare gjennomgå et begrenset antall programmerings-/slettesykluser, når flashmedier ikke brukes jevnt, blir noen blokker oppdatert oftere enn andre, og enhetens levetid vil reduseres betydelig. Dermed brukes slitasjeutjevning for å forlenge levetiden til NAND-blits ved jevnt å fordele skrive- og slettesykluser over mediene.
HosinGlobal gir avansert slitasjeutjevningsalgoritme, som effektivt kan spre blitsbruken gjennom hele flashmedieområdet. Dessuten, ved å implementere både dynamiske og statiske slitasjeutjevningsalgoritmer, forbedres levetiden til NAND-blitsen betraktelig.
1.4.3. Dårlig blokkhåndtering
Dårlige blokker er blokker som ikke fungerer ordentlig eller inneholder flere ugyldige biter som forårsaker ustabile lagrede data, og deres pålitelighet er ikke garantert. Blokker som er identifisert og merket som dårlige av produsenten blir referert til som "Early Bad Blocks". Dårlige blokker som utvikles i løpet av blitsens levetid kalles "Later Bad Blocks". HosinGlobal implementerer en effektiv algoritme for håndtering av dårlige blokker for å oppdage de fabrikkproduserte dårlige blokkene og håndterer dårlige blokker som vises ved bruk. Denne praksisen forhindrer at data lagres i dårlige blokker og forbedrer datapåliteligheten ytterligere.
1.4.4. LISTVERK
TRIM er en funksjon som bidrar til å forbedre lese-/skriveytelsen og hastigheten til solid state-stasjoner (SSD). I motsetning til harddisker (HDD), er ikke SSD-er i stand til å overskrive eksisterende data, så den tilgjengelige plassen blir gradvis mindre for hver bruk. Med TRIM-kommandoen kan operativsystemet informere SSD-en slik at blokker med data som ikke lenger er i bruk kan fjernes permanent. Dermed vil SSD-en utføre slettehandlingen, som forhindrer ubrukte data fra å oppta blokker til enhver tid.
1.4.5. SMART
SMART, et akronym for Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, er en åpen standard som lar en solid state-stasjon automatisk oppdage helsen og rapportere potensielle feil. Når en feil registreres av SMART, kan brukere velge å erstatte stasjonen for å forhindre uventet strømbrudd eller tap av data. Dessuten kan SMART informere brukere om forestående feil mens det fortsatt er tid til å utføre proaktive handlinger, for eksempel lagre data til en annen enhet.
1.4.6. Overtilførsel
Overprovisioning refererer til det bevarende tilleggsområdet utover brukerkapasiteten i en SSD, som ikke er synlig for brukerne og ikke kan brukes av dem. Imidlertid lar det en SSD-kontroller utnytte ekstra plass for bedre ytelse og WAF. Med Over Provisioning forbedres ytelsen og IOPS (Input/Output Operations per Second) ved å gi kontrolleren ekstra plass til å administrere P/E-sykluser, noe som også forbedrer påliteligheten og utholdenheten. Dessuten blir skriveforsterkningen til SSD-en lavere når
kontrolleren skriver data til blitsen.
1.4.7. Fastvareoppgradering
Fastvare kan betraktes som et sett med instruksjoner om hvordan enheten kommuniserer med verten. Firmware vil kunne oppgraderes når nye funksjoner legges til, kompatibilitetsproblemer er fikset eller lese-/skriveytelsen blir forbedret.
1.4.8. Termisk struping
Hensikten med termisk struping er å forhindre at komponenter i en SSD blir overopphetet under lese- og skriveoperasjoner. HG2283 er designet med en termisk sensor på matrisen og med dens nøyaktighet; fastvare kan bruke forskjellige nivåer av struping for å oppnå formålet med beskyttelse effektivt og proaktivt via SMART-lesing.
1.5. Avanserte enhetssikkerhetsfunksjoner
1.5.1. Sikker sletting
Secure Erase er en standard NVMe-formatkommando og vil skrive alle "0x00" for å slette alle dataene på harddisker og SSD-er. Når denne kommandoen utstedes, vil SSD-kontrolleren slette lagringsblokkene og gå tilbake til fabrikkinnstillingene.
1.5.2. Kryptosletting
Crypto Erase er en funksjon som sletter alle data på en OPAL-aktivert SSD eller en "SED" (Security-Enabled Disk)-stasjon ved å tilbakestille den kryptografiske nøkkelen til disken. Siden nøkkelen er endret, vil tidligere krypterte data bli ubrukelige, og oppnå formålet med datasikkerhet.
1.5.3. Fysisk tilstedeværelse SID (PSID)
Physical Presence SID (PSID) er definert av TCG OPAL som en 32-tegnstreng, og formålet er å gå tilbake til SSD-en til produksjonsinnstillingen når stasjonen fortsatt er OPAL-aktivert. PSID-kode kan skrives ut på en SSD-etikett når en OPAL-aktivert SSD støtter funksjonen for tilbakestilling av PSID.
1.6. SSD Lifetime Management
1.6.1. Terabyte skrevet (TBW)
TBW (Terabytes Written) er en måling av SSDs forventede levetid, som representerer mengden data
skrevet til enheten. For å beregne TBW til en SSD, brukes følgende ligning:
TBW = [(NAND utholdenhet) x (SSD-kapasitet)] / [WAF]
NAND utholdenhet: NAND-utholdenhet refererer til P/E-syklusen (Program/Erase) til en NAND-blits.
SSD-kapasitet: SSD-kapasiteten er den spesifikke kapasiteten totalt for en SSD.
WAF: Write Amplification Factor (WAF) er en numerisk verdi som representerer forholdet mellom mengden data som en SSD-kontroller trenger for å skrive og mengden data som vertens flashkontroller skriver. En bedre WAF, som er nær 1, garanterer bedre utholdenhet og lavere frekvens av data skrevet til flashminnet.
TBW i dette dokumentet er basert på JEDEC 218/219 arbeidsbelastning.
1.6.2. Mediaslitasjeindikator
Indikator for faktisk levetid rapportert av SMART Attribut-byteindeks [5], prosentandel brukt, anbefaler brukeren å bytte ut stasjonen når den når 100 prosent.
1.6.3. Skrivebeskyttet modus (end of life)
Når stasjonen eldes av kumulerte program-/slettesykluser, kan utslitte media forårsake økende antall senere dårlige blokkeringer. Når antallet brukbare godblokker faller utenfor et definert brukbart område, vil stasjonen varsle Host gjennom AER-hendelse og kritisk advarsel om å gå inn i skrivebeskyttet modus for å forhindre ytterligere datakorrupsjon. Brukeren bør begynne å erstatte stasjonen med en annen umiddelbart.
1.7. Adaptiv tilnærming til ytelsesjustering
1.7.1. Gjennomstrømning
Basert på tilgjengelig plass på disken, vil HG2283 regulere lese-/skrivehastigheten og administrere ytelsen til gjennomstrømmingen. Når det fortsatt er mye plass igjen, vil fastvaren kontinuerlig utføre lese-/skrivehandlinger. Det er fortsatt ikke nødvendig å implementere søppelinnsamling for å tildele og frigjøre minne, noe som vil akselerere lese-/skrivebehandlingen for å forbedre ytelsen. Motsatt, når plassen skal brukes opp, vil HG2283 bremse lese-/skrivebehandlingen og implementere søppelinnsamling for å frigjøre minne. Lese-/skriveytelsen vil derfor bli tregere.
1.7.2. Forutsi og hent
Normalt, når verten prøver å lese data fra PCIe SSD, vil PCIe SSD bare utføre én lesehandling etter å ha mottatt én kommando. Imidlertid bruker HG2283 Forutsig og hent for å forbedre lesehastigheten. Når verten utsteder sekvensielle lesekommandoer til PCIe SSD, vil PCIe SSD automatisk forvente at følgende også vil være lesekommandoer. Derfor, før den mottar neste kommando, har flash allerede forberedt dataene. Følgelig akselererer dette databehandlingstiden, og verten trenger ikke å vente så lenge på å motta data.
1.7.3. SLC-bufring
HG2283s fastvaredesign tar i bruk dynamisk caching for å levere bedre ytelse for bedre utholdenhet og forbrukeropplevelse.
3.1. Miljøforhold 3.1.1. Temperatur og fuktighet
Tabell 3-1 Høy temperatur
|
|
Temperatur |
Luftfuktighet |
|
Operasjon |
70 grader |
0 prosent RF |
|
Oppbevaring |
85 grader |
0 prosent RF |
Tabell 3-2 Lav temperatur
|
|
Temperatur |
Luftfuktighet |
|
Operasjon |
0 grad |
0 prosent RF |
|
Oppbevaring |
-40 grad |
0 prosent RF |
Tabell 3-3 Høy luftfuktighet
|
|
Temperatur |
Luftfuktighet |
|
Operasjon |
40 grader |
90 prosent RF |
|
Oppbevaring |
40 grader |
93 prosent RF |
Tabell 3-4 Temperatursykling
|
|
Temperatur |
|
Operasjon |
0 grad |
|
70 grader1 |
|
|
Oppbevaring |
-40 grad |
|
85 grader |
Merknader:
1. Driftstemperaturen måles av tilfellets temperatur, som kan bestemmes via SMART Airflow er foreslått, og den vil tillate at enheten kan brukes ved passende temperatur for hver komponent under tunge arbeidsbelastninger.
3.1.2. Sjokk
Tabell 3-5 Sjokk
|
|
Akselerasjonskraft |
|
Ikke-operativ |
1500G |
3.1.3. Vibrasjon
Tabell 3-6 Vibrasjon
|
|
Cond |
ion |
|
Frekvens/Forskyvning |
Frekvens/akselerasjon |
|
|
Ikke-operativ |
20Hz~80Hz/1,52mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Miste
Tabell 3-7 Slipp
|
|
|
Fallhøyde |
|
|
Antall fall |
|
Ikke-operativ |
|
80 cm fritt fall |
|
|
6 side av hver enhet |
|
3.1.5. Bøyning |
Bord 3-8 Bøyer |
|
|
||
|
|
|
Makt |
|
|
Handling |
|
Ikke-operativ |
|
Større enn eller lik 20N |
|
|
Hold 1 min/5 ganger |
|
3.1.6. Dreiemoment |
Tabell 3-9 dreiemoment |
|
|
||
|
|
|
Makt |
|
|
Handling |
|
Ikke-operativ |
|
0,5N-m eller ±2,5 grader |
|
|
Hold 1 min/5 ganger |
|
3.1.7. Elektrostatisk utladning (ESD) |
Tabell 3-10 ESD |
|
|
||
|
Spesifikasjon |
|
|
pluss /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 og IEC 61000-4-2 |
Enhetsfunksjoner påvirkes, men EUT vil automatisk gå tilbake til normal eller driftstilstand. |
||||
4. ELEKTRISKE SPESIFIKASJONER
4.1. Forsyningsspenningen
Tabell 4-1 Forsyningsspenning
|
Parameter |
Vurdering |
|
Driftsspenning |
Min=3.14 V Maks.=3.47 V |
|
Stigetid (maks/min) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Falltid (maks/min) |
1500 ms / 1 ms |
|
Min. Utenfor arbeidstid1 |
1500 ms |
MERK:
1. Minimum tid mellom strøm fjernet fra SSD (Vcc < 100 mV) og strøm tilført til stasjonen igjen.
4.2. Strømforbruk
Tabell 4-2 Strømforbruk i mW
|
Kapasitet |
Flash-konfigurasjon |
CE# |
Les (maks) |
Skriv (maks) |
Lese (Gj.sn.) |
Skriv (Gj.sn.) |
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
MERKNADER:
Basert på APF1Mxxx-serien under omgivelsestemperatur.
Den gjennomsnittlige verdien av strømforbruket oppnås basert på 100 prosent konverteringseffektivitet.
Den målte strømspenningen er 3,3V.
Temperaturen på en lagringsenhet i PS1 bør forbli konstant eller bør synke litt for alle arbeidsbelastninger, så den faktiske effekten i PS1 bør være lavere enn PS0.
Temperaturen på en lagringsenhet i PS2 bør reduseres kraftig for alle arbeidsbelastninger, så den faktiske effekten i PS2 bør være lavere enn PS1.
5. GRENSESNITT
5.1. Pin-tilordning og beskrivelser
Tabell {{0}} definerer signaltilordningen til den interne NGFF-kontakten for SSD-bruk, beskrevet i PCI Express M.2-spesifikasjonen versjon 1.0 av PCI-SIG.
Tabell 5-1 Pin-tilordning og beskrivelse av HG2283 M.2 2280
|
Pinne nr. |
PCIe-pinne |
Beskrivelse |
|
1 |
GND |
KONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
3 |
GND |
Bakke |
|
4 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
5 |
PETn3 |
PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
6 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
7 |
PETp3 |
PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
8 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
9 |
GND |
Bakke |
|
10 |
LED1# |
Åpent avløp, aktivt lavt signal. Disse signalene brukes til å la tilleggskortet gi statusindikatorer via LED-enheter som leveres av systemet. |
|
11 |
PERn3 |
PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
12 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
13 |
PERp3 |
PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
14 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
15 |
GND |
Bakke |
|
16 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
17 |
PETn2 |
PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
18 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
19 |
PETp2 |
PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
20 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
21 |
GND |
Bakke |
|
22 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
23 |
PERn2 |
PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
24 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
25 |
PERp2 |
PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
26 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
27 |
GND |
Bakke |
|
28 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
29 |
PETn1 |
PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
30 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
31 |
PETp1 |
PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
32 |
GND |
Bakke |
|
33 |
GND |
Bakke |
|
34 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
35 |
PERn1 |
PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
36 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
37 |
PERp1 |
PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
Pinne nr. |
PCIe-pinne |
Beskrivelse |
|
38 N/C |
Ingen tilkobling |
|
|
39 GND |
Bakke |
|
|
40 SMB_CLK (I/O)(0/1,8V) |
SMBus Klokke; Åpen avløp med opptrekk på plattformen |
|
|
41 |
PETn0 |
PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
42 |
SMB{{0}}DATA (I/O)(0/1,8V) |
SMBus Data; Åpen avløp med opptrekk på plattformen. |
|
43 |
PETp0 |
PCIe TX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
44 |
ALERT#(O) (0/1,8V) |
Alarmvarsel til master; Åpent avløp med opptrekk på plattform; Aktiv lav. |
|
45 |
GND |
Bakke |
|
46 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
47 |
PERn0 |
PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
48 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
49 |
PERp0 |
PCIe RX Differensialsignal definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen |
|
50 |
PERST#(I)(0/3,3V) |
PE-Reset er en funksjonell tilbakestilling til kortet som definert av PCIe Mini CEM-spesifikasjonen. |
|
51 |
GND |
Bakke |
|
52 |
CLKREQ#(I/O)(0/3,3V) |
Klokkeforespørsel er et referanseklokkesignal som definert av PCIe Mini CEM-spesifikasjonen; Brukes også av L1 PM-delstater. |
|
53 |
REFCLKn |
PCIe-referanseklokkesignaler (100 MHz) definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3,3V) |
PCIe PME Wake. Åpne avløp med opptrekk på plattformen; Aktiv lav. |
|
55 |
REFCLKp |
PCIe-referanseklokkesignaler (100 MHz) definert av PCI Express M.2-spesifikasjonen. |
|
56 |
Reservert for MFG DATA |
Produksjonsdatalinje. Brukes kun til SSD-produksjon. Ikke brukt i normal drift. Pinner skal stå N/C i plattformkontakten. |
|
57 |
GND |
Bakke |
|
58 |
Reservert for MFG KLOKKE |
Produksjonsklokkelinje. Brukes kun til SSD-produksjon. Ikke brukt i normal drift. Pinner skal stå N/C i plattformkontakten. |
|
59 |
Modulnøkkel M |
Modulnøkkel |
|
60 |
Modulnøkkel M |
|
|
61 |
Modulnøkkel M |
|
|
62 |
Modulnøkkel M |
|
|
63 |
Modulnøkkel M |
|
|
64 |
Modulnøkkel M |
|
|
65 |
Modulnøkkel M |
|
|
66 |
Modulnøkkel M |
|
|
67 |
N/C |
Ingen tilkobling |
|
68 |
SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) |
32,768 kHz klokkeforsyningsinngang som leveres av plattformbrikkesettet for å redusere strøm og kostnad for modulen. |
|
69 |
NC |
KONFIG_1=Ingen tilkobling |
|
70 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
71 |
GND |
Bakke |
|
72 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
73 |
GND |
Bakke |
|
74 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
75 |
GND |
KONFIG_2=jord |
Formfaktor: M.2 2280 S2
Dimensjoner: 80,00mm (L) x 22,00mm (B) x 2,15 mm (H)
|
Vis retning |
Diagram |
|
Topp |
![]()
|
|
Bunn |
|
|
Vis retning |
Diagram |
|
Side |
|
|
|
|

Figur 7-1 Produktets mekaniske diagram og dimensjoner
8. BRUKSOMRÅDER
8.1. Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP) Forholdsregler for håndtering
Det er mange komponenter samlet på en enkelt SSD-enhet. Håndter stasjonen med forsiktighet, spesielt når den har noen WLCSP-komponenter (Wafer Level Chip Scale Packaging) som PMIC, termisk sensor eller lastbryter. WLCSP er en av emballasjeteknologiene som er mye brukt for å lage mindre fotavtrykk, men eventuelle støt eller riper kan skade disse ultrasmå delene, så skånsom håndtering anbefales sterkt.
IKKE SLAPP SSD
INSTALLER SSD MED FORSIKTIGHET
LEVET SSD I EN ORDENTLIG PAKKE
8.2. M Key M.2 SSD-monteringsforholdsregler
M Key M.2 SSD (Figur 1) er kun kompatibel med M Key (Figur 2)-kontakt. Som vist i brukstilfelle 2, kan misbruk forårsake alvorlige skader på SSD, inkludert utbrenthet.
Figur 8-1 M-nøkkel M.2 Forholdsregler for montering

Populære tags: NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7, Kina NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 pluss HYNIX V7
Sende bookingforespørsel
















